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[发明专利]导电性层叠体、带图案布线的透明导电性层叠体、以及光学器件-CN201280029923.9有效
发明人：藤野望;拝师基希;多田光一郎;坂田义昌 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于，抑制在透明导电层上形成有金属层的导电性层叠体中通过蚀刻而去除金属层时的透明导电层的电阻的升高。导电性层叠体在透明基材（1）的至少一面上依次形成有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体（2）和金属层（3）。在透明导电性薄膜层叠体（2）中，最接近金属层（3）的第一透明导电性薄膜（21）为金属氧化物层或含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层，第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜（22）为含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层。第一透明导电性薄膜（21）中的杂质金属的含有比例在构成前述透明导电性薄膜层叠体（2）的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例之中不为最大，由此可解决上述课题。
导电性层叠图案布线透明以及光学器件

[实用新型]一种导电金属薄膜粉尘去除装置-CN202222761908.7有效
发明人：臧世伟 -专利权人：重庆金美新材料科技有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种针对导电金属薄膜的粉尘去除装置，该装置内部设有用于支撑卷芯端部的支撑台，卷芯上卷绕有导电金属薄膜，在两个支撑台之间设置一个用于安装喷嘴的固定座，方便喷嘴正对导电金属薄膜进行吹气，以喷气的形式有效地清除导电金属薄膜上的粉尘，相比于擦拭等其他方式，能够避免对导电金属薄膜造成新的损坏。本实用新型提供了一种针对导电金属薄膜的粉尘去除装置，该装置内部设有用于支撑卷芯端部的支撑台，卷芯上卷绕有导电金属薄膜，在两个支撑台之间设置一个用于安装喷嘴的固定座，方便喷嘴正对导电金属薄膜进行吹气，以喷气的形式有效地清除导电金属薄膜上的粉尘，相比于擦拭的方式，还能避免对导电金属薄膜造成新的损坏。
一种导电金属薄膜粉尘去除装置

[发明专利]一种金属纳米线复合透明导电薄膜、其制备方法及应用-CN201510276448.0有效
发明人：金云霞;肖斐 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，特别涉及一种金属纳米线复合透明导电薄膜，该复合透明导电薄膜依次包含基底层、金属纳米线薄膜层和多糖层。本发明还涉及上述金属纳米线复合透明导电薄膜的制备方法，包含制备多糖溶液、取金属纳米线溶液在基底层上刮涂成膜以及将多糖溶液涂覆于金属纳米线薄膜层表面等步骤。本发明以多糖类物质与金属纳米线薄膜进行复合，在提高了金属纳米线薄膜层与基底层之间的粘附性的同时，保持了金属纳米线薄膜层的导电性，还有利于提高整个金属纳米线复合透明导电薄膜的稳定性。本发明所提供的金属纳米线复合透明导电薄膜能很好地与光刻工艺兼容，易于制备得到图案化的金属纳米线复合透明导电薄膜。
金属纳米线复合透明导电薄膜制备薄膜层基底层多糖溶液电子材料技术导电性薄膜层表面多糖类物质光刻工艺多糖层图案化粘附性薄膜成膜刮涂涂覆兼容复合应用

[发明专利]一种导电薄膜以及提升导电薄膜导电性的方法-CN201810241317.2在审
发明人：杨柏儒;翁明;许钰旺;陈鹏;张伟;李京周;王毓成;邱景燊;柳成林 -专利权人：佛山市顺德区中山大学研究院;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电薄膜，通过采用金属氧化物溶胶将金属纳米线网格的结点包覆，使得金属纳米线之间的连接更加密切，减小导电薄膜的片电阻；本发明的一种提升导电薄膜导电性的方法，第一次先利用微波对导电薄膜进行处理，使金属纳米线之间结电阻大的结点熔接起来，降低导电薄膜的片电阻；第二次是将金属氧化物溶胶涂布在微波处理后的导电薄膜上，借助导电薄膜退火时金属氧化物与衬底发生粘附作用，使得金属纳米线未熔接的地方搭接得更加紧密，此外金属氧化物还可以作为导电薄膜的电子传传输层，结电阻较大的地方可以通过氧化物半导体层传输电子，从而减小导电薄膜片电阻，通过两次处理使得导电薄膜的片电阻降低，提高了导电薄膜的导电性。
导电薄膜金属纳米线导电性片电阻金属氧化物溶胶金属氧化物结电阻减小结点熔接氧化物半导体层退火导电薄膜片传输电子微波处理传输层包覆衬底次先搭接电阻网格粘附微波

[实用新型]一种具有金属网格的UV固化型透明导电薄膜-CN201520973912.7有效
发明人：朱文峰 -专利权人：东莞市纳利光学材料有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型涉及导电薄膜技术领域，具体涉及一种具有金属网格的UV固化型透明导电薄膜，该透明导电薄膜包括透明基材层和涂布于透明基材层上表面的导电薄膜层，导电薄膜层包括导电区域和绝缘区域，导电区域具有由纳米金属线构成的金属网格，绝缘区域由纳米金属线围合形成，金属网格突出于绝缘区域。本实用新型的具有金属网格的UV固化型透明导电薄膜导电性能好，透过度高，柔软性好。
一种具有金属网格 uv 固化透明导电薄膜

[实用新型]导电薄膜、导电薄膜卷、感光性导电薄膜、感光性导电薄膜卷、导电膜基材以及装置-CN201520393123.6有效
发明人：濑里泰洋;吉原谦介 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型提供导电薄膜、导电薄膜卷、感光性导电薄膜、感光性导电薄膜卷、导电膜基材以及装置，该导电薄膜为具备支撑薄膜和设置在该支撑薄膜上的含有金属纤维的导电层的导电薄膜，其中，上述导电层中的金属凝聚物的个数以每9cm²计为7.0个以下；该导电薄膜卷是通过将上述导电薄膜卷绕在辊上而制得的；该感光性导电薄膜为具备支撑薄膜、设置在该支撑薄膜上的含有金属纤维的导电层和设置在该导电层上的感光性树脂层的感光性导电薄膜，其中，上述导电层中的金属凝聚物的个数以每9cm²计为7.0个以下；该感光性导电薄膜卷是通过将上述感光性导电薄膜卷绕在辊上而制得的。
导电薄膜感光性基材以及装置

[实用新型]一种具有电加热功能的夹层玻璃-CN201420582246.X有效
发明人：林行 -专利权人：林行
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： B32B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有电加热功能的夹层玻璃，所述夹层玻璃包括玻璃基板和金属网格透明导电薄膜，所述玻璃基板包括上玻璃基板和下玻璃基板，所述金属网格透明导电薄膜位于上玻璃基板和下玻璃基板之间，所述玻璃基板和金属网格透明导电薄膜之间设置夹层聚合物，所述金属网格透明导电薄膜开有均匀分布的孔洞；所述玻璃基板、夹层聚合物和金属网格透明导电薄膜通过加热层压粘结成一体，所述夹层聚合物贯通金属网格透明导电薄膜的孔洞；所述金属网格透明导电薄膜还连接有电极。该夹层玻璃采用金属网格层附着在透明薄膜基材上形成金属网格透明导电薄膜作为电加热层，可与弯曲玻璃相配，不会引起导电层断裂的问题，并满足加热，透光和美观的要求。
一种具有加热功能夹层玻璃

[实用新型]一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜-CN201821040152.4有效
发明人：王洪;胡晓龙;文茹莲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜。新型金属掺杂ITO透明导电薄膜包括新型金属掺杂ITO薄膜和基底材料，所述新型金属掺杂ITO薄膜与基底材料接触，所述新型金属掺杂ITO薄膜包括掺杂金属薄膜和ITO薄膜，所述掺杂金属薄膜和ITO薄膜通过退火处理键合在一起本实用新型的透明导电薄膜是通过先生长一层ITO薄膜后生长掺杂金属薄膜，再一起通过高温退火后而形成，得到的透明导电薄膜在ITO透明导电薄膜基础上，具有更大的薄膜光学透过率和更低的薄膜方块电阻；本实用新型在原有设备上不需要引入新的设备，结构简单，因此不会增大工艺难度，同时有利于提高薄膜光电性能。
新型金属掺杂掺杂金属薄膜本实用新型透明导电薄膜基底材料薄膜方块电阻薄膜光电薄膜光学高温退火工艺难度退火处理原有设备透过率键合生长引入

[发明专利]导电性薄膜和导电性薄膜卷-CN201210541208.5有效
发明人：藤野望;鹰尾宽行;石桥邦昭 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供导电性薄膜和导电性薄膜卷。已知具备薄膜基材、形成于其两面上的透明导电体层、和形成于透明导电体层的表面上的金属层的导电性薄膜。卷取这种导电性薄膜形成导电性薄膜卷时，存在邻接的导电性薄膜的金属层之间相互压接的问题。本发明的导电性薄膜（10）具有薄膜基材（11）、层叠于薄膜基材（11）的一个面上的第一透明导电体层（12）、第一金属层（13）、氮化覆膜层（14）、层叠于薄膜基材（11）的另一个面上的第二透明导电体层（15）、第二金属层（16）。氮化覆膜层（14）防止邻接的导电性薄膜（10）的压接。
导电性薄膜

[实用新型]一种弯折性能高的导电薄膜及薄膜可变电容-CN202023316941.6有效
发明人：王学森;徐敬义;王金熠 -专利权人：常州市利多合金材料有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型属于薄膜电子元件技术领域，涉及一种弯折性能高的导电薄膜及薄膜可变电容。一种弯折性能高的导电薄膜，包括薄膜基材和导电层，所述薄膜基材上表面具有若干凹槽，所述凹槽截面为优弓形结构，所述薄膜基材与导电层之间还具有金属网，所述导电层包括导电表层、渗入金属网和凹槽中的过渡层；一种弯折性能高的薄膜可变电容，包括电容基材、第一导电层、第二导电层、第一金属网和第二金属网，所述第一金属网、第一导电层依次设置在设置在电容基材上表面；所述第二金属网、第二导电层依次设置在电容基材下表面。该导电薄膜或薄膜可变电容的导电层与基材之间连接紧固，形成的电子元件具有高柔弹性，导电层不易脱落，导电性能好，耐弯折性能好。
一种性能导电薄膜可变电容

[发明专利]制备金属导电薄膜的方法-CN201310553554.X有效
发明人：金云霞;肖斐 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及电子材料领域，公开了一种制备金属导电薄膜的方法。首先分别制备海藻酸盐水溶液和金属粒子分散液，然后将海藻酸盐水溶液涂覆在基底上，再将金属粒子分散液涂覆在基底上，制成金属导电薄膜，然后再将覆盖有金属导电薄膜的基底浸没于无机盐溶液中，最后将基底从无机盐溶液中取出后用去离子水清洗金属导电薄膜与现有技术相比，本发明中制备金属导电薄膜的方法在将金属导电薄膜的导电性提高1～4倍的同时，提高了金属导电薄膜与基底之间的粘附性，而且工艺温度低，操作过程简单，成本低廉。
制备金属导电薄膜方法

[发明专利]一种导电薄膜的制备方法和导电薄膜-CN202310575743.0在审
发明人：臧世伟;刘文卿 -专利权人：重庆金美新材料科技有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种导电薄膜的制备方法和导电薄膜，所述制备方法包括：取薄膜基材；通过真空镀膜的方式在所述薄膜基材的表面层积上合金层，所述合金层中包含第一种金属和第二种金属；其中，所述第一种金属是比所述第二种金属易于氧化的金属本发明实施例制备的导电薄膜，通过在合金层中添加比第二种金属易于氧化的第一种金属，可以避免导电薄膜在于空气接触的过程中第二种金属被氧化，因为在导电薄膜与空气接触过程中，由于第一种金属易于氧化，所以先氧化第一种金属，而避免第二种金属被氧化，而本发明实施例中的导电薄膜是依赖于第二种金属进行导电的，所以本实施例中的并不会改变导电薄膜上面的金属层的方阻，进而不会降低导电薄膜的导电性能。
一种导电薄膜制备方法

[发明专利]取暖陶瓷壁画及其制备工艺-CN03115559.6无效
发明人：周之斌 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2003-02-27 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： F24D13/02 文献下载
摘要：陶瓷壁画包括：陶瓷衬底、金属氧化物透明导电薄膜、红外减反射薄膜、导电浆电极、导电浆焊脚、功率输入电线，陶瓷基底的表面喷涂金属氧化物透明导电薄膜，金属氧化物透明导电薄膜的外侧镀红外减反射薄膜，在陶瓷壁画的背面设有导电浆电极及导电浆焊脚，导电浆焊脚上焊接功率输入电线。制备工艺如下：在陶瓷壁画的陶瓷基底的表面上喷涂金属氧化物透明导电薄膜；在金属氧化物透明导电薄膜的外侧真空蒸镀红外减反射薄膜；在陶瓷壁画的背面印上金属银导电浆，包括导电浆电极及导电浆焊脚，采用铜或银焊法，在导电浆焊脚上焊接功率输入电线。
取暖陶瓷壁画及其制备工艺

[发明专利]一种透明导电金属薄膜及其制备方法-CN201110023116.3无效
发明人：毕晓昉;李颖;黄钦 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提出一种透明导电金属薄膜及其制备方法，通过磁控溅射方法，该薄膜的材料为非晶态的金属铜，该透明导电金属薄膜厚度为7～30nm，电阻率为10-5～10-4Ωcm。当透明导电金属薄膜优选为7～12nm时，透光率高达78～85％。该透明导电金属薄膜具有双层结构，最外层是氧吸附层，厚度稳定在3～5nm，氧吸附层的厚度不随透明导电金属薄膜整体厚度的增加而增加，使得透明导电金属薄膜在可见光范围内，反射率降低，透光率增大。
一种透明导电金属薄膜及其制备方法

[发明专利]发光二极管的制作方法及发光二极管-CN202211698402.4在审
发明人：肖和平;冯岩;胡根水;任关涛;刘康 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：所述发光二极管的制作方法包括：制作半导体层；在所述半导体层的表面形成第一导电金属薄膜；在所述第一导电金属薄膜上形成透明导电层；在所述透明导电层上形成第二导电金属薄膜；在所述第二导电金属薄膜上形成P电极；对形成所述P电极后的所述发光二极管进行退火，以使所述第一导电金属薄膜和所述第二导电金属薄膜中的金属扩散到所述透明导电层中。
发光二极管制作方法

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